حكاكی لایه نازك sio2 وsi3n4

حكاكی لایه نازك sio2 وsi3n4

حکاکی لایه نازک SiO₂

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C₂ F₆ و CH₃F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si₃N₄  خوب نیست . 

حکاکی لایه نازک Si₃N₄

حکاکی کننده تر در دمای H₃PO_4,140 – 200OC   می باشد. SiO₂ حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است.

حکاکی Anisotropic برای Si₃N₄ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C₂F₆ و CH₃F انجام می شود.

در میکروماشینینگ سطحی

در میکرو ماشینینگ توده ای ساختارهای میکرونی به وسیله حکاکی توده ای از ویفر سیلیکون برای دستیابی به نتیجه دلخواه تشکیل می شوند. در میکروماشینینگ سطحی چندین لایه نازک روی ویفری یا هر زیر لایه مناسب دیگر قرار می گیرند. این لایه ها شامل یک ماده بنیادین مثل پلی سیلیکن و یک ماده قربانی ( Sacrifical ) مثل اکسید می باشند. این لایه ها به ترتیب لایه نشانی و حکاکی خشک می شوند. آخر سر ماده قربانی از طریق حکاکی تر حذف   می شود. لایه های بیشتر و ساختارهای پیچیده تر باعث سخت شدن فرآیند ساخت می شود. یک میله سگدست میکرو ماشین شده سطحی ساده در شکل 2 – 40 نشان داده شده است. یک لایه قربانی از اکسید روی سطح ویفر لایه نشانی شده، سپس یک لایه پلی سیلیکن لایه نشانی شده و با استفاده از روش های RIE به یک میله با یک Anchor pad الگو دهی می شود. ( شکل a ). سپس به وسیله یک حکاکی تر لایه اکسید زیر میله برداشته می شود ( شکل b ). Anchor pad از زیر Pad  برداشته شود، ویفر از حمام حکاکی بیرون می آید.